Естественные науки

Журнал фундаментальных
и
прикладных исследований

Анодное окисление карбида кремния в нитратно-фосфатных и нитратно-боратных электролитах на основе этиленгликоля

2014. №3, Стр. 119-126

Махаринец Александр Владимирович - аспирант, Инженерно-технологическая академия Южного федерального университета, Российская Федерация, 347928, г. Таганрог, ГСП-17А, пер. Некрасовский, 44, mav1creator@mail.ru

В статье предложены механизмы гальваностатического формирования анодных оксидных пленок карбида кремния в электролите на основе этиленгликоля с добавками воды, азотной и ортофосфорной или ортоборной кислот. Исследованы кинетические особенности роста анодных оксидных пленок, легированных фосфором или бором на карбиде кремния в электролитах сложного состава. Уточнены механизмы влияния отдельных компонентов фосфатных и боратных электролитов на основе этиленгликоля. Установлено, что порядки суммарных анодных реакций по H PO и H BO соответственно равны 0,484 и 1,934. Выдвинуто предположение, что лимитирующей стадией процесса формирования АОП карбида кремния является реакция образования промежуточного продукта - монооксида кремния SiO.

Ключевые слова: анодные оксидные пленки, анодное окисление карбида кремния, анодирование карбида кремния, anodic oxide films, anodic oxidation of silicon carbide, silicon carbide anodizing

Читать